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碳化硅二極管在太陽能系統(tǒng)中的應(yīng)用



碳化硅(SiC)二極管已經(jīng)進(jìn)入迅速擴(kuò)張的太陽能逆變器市場,尤其是在歐洲。Cree的1200V SiC肖特基二極管已開始用來取代DC鏈升壓電路所使用的硅(Si)PiN類設(shè)計(jì),而且將很快出現(xiàn)在商用系統(tǒng)的逆變器領(lǐng)域。
  最近幾年,材料質(zhì)量、尺寸和成本方面的進(jìn)展,使SiC成為功率器件中Si的一種真正可行的替代者。隨著晶圓尺寸的增加,缺陷密度在不斷下降,材料成本也隨之下降,同前較大的功率器件已經(jīng)采用了SiC。該技術(shù)有許多獨(dú)一無二的特性,使之成為了高壓或高溫操作的一種近乎理想的材料。
  首先,SiC的導(dǎo)熱率足砷化鎵的幾倍,也超過了Si的三倍。這將可以制造出更高電流密度的器件。另外,SiC的擊穿電場(breakdown field)幾乎是Si擊穿電場的十倍,所以采用SiC的相同設(shè)計(jì)將獲得硅元件十倍的額定擊穿電壓。由于這個(gè)原因,才有可能開發(fā)出非常高電壓的肖特基二極管。最后,SiC是一種寬能帶材料,因此,相對于任何硅器件而言,SiC可在高得多的溫度下工作。圖1所示為SiC、GoAs和Si在導(dǎo)熱率、電場擊穿和能帶隙方面的差異。
  由于上述原因,肖特基二極管成為了沒有少數(shù)載流子再復(fù)合,進(jìn)而導(dǎo)致零反向恢復(fù)電流的單極性器件(參考圖2),不過,其結(jié)電容電荷非常少。其重要性在于,這種電荷與Si PiN器件同相反向恢復(fù)電荷相比可以忽略不計(jì),而且它還與溫度、正向電流和開關(guān)di/dt(電流隨時(shí)間的變化量)無關(guān)。這些肖特基二極管還具有零正向恢復(fù)電壓,可以即時(shí)導(dǎo)通。這些開關(guān)特性還具有通常被忽略的大幅度降低電磁干擾(EMl)的好處。由于開關(guān)必須對伴隨Si PiN器件的反向恢復(fù)電流進(jìn)行轉(zhuǎn)換,這些器件可以消除功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中的二極管開關(guān)損耗,進(jìn)而大幅度降低與開關(guān)有關(guān)的導(dǎo)通損耗。由于這種效率和性能上的提高,SiC肖特基二極管成為了太陽能系統(tǒng)的理想解決方案。

                     

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                                                 圖1 幾種材料的比較

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                                          圖2 肖特基二極管與硅等效元件恢復(fù)的對比


  

 圖2中紅線表示在外殼溫度為25℃、50℃、100℃和150℃時(shí),Cree的10A 600V肖特基與10A Si等效元件的VfIf器件特性的對比。SiC器件的溫度是獨(dú)立的,而且沒有反向恢復(fù)電流。
   據(jù)可靠信息估計(jì),全球能源消費(fèi)的39%為用電。在美國,預(yù)計(jì)未來十年能源需求將增加19%,而發(fā)展中國家的需求增加將更加迅速。歐洲已經(jīng)意識到了太陽能的優(yōu)點(diǎn),而一些國家正在推動商業(yè)和個(gè)人使用太陽能。由于采用SiC肖特基二極管使整個(gè)系統(tǒng)效率得以提高,許多太陽能設(shè)備制造商紛紛開始轉(zhuǎn)向這一技術(shù)。
   太陽能板收集太陽能能量,將其轉(zhuǎn)換為正向DC電壓。該電壓隨太陽能板上接受的太陽光的光強(qiáng)而變化。利用高頻下的升壓式轉(zhuǎn)換器開關(guān),該電壓可以提升至一個(gè)固定的DC電壓。SiC肖特基二極管可以消除升壓二極管的開關(guān)損耗,大幅度降低MOSFET或IGBT的導(dǎo)通損耗。這將顯著提高升壓電路的效率(參見圖3)。然后,一個(gè)逆變器將固定DC電壓變成固定頻率的可用的AC電壓(歐洲的典型值為220V,50Hz;北美為110V,60Hz)。SiC肖特基二極管可以
消除這部分電路中的續(xù)流二極管的開關(guān)損耗,同時(shí)可以降低IGBT導(dǎo)通損耗(參見圖4)。逆變器效率也就隨之顯著提高了。

                      

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                                                 3 電路的比較

   3中,左邊的電路顯示了采用Si PiN二極管、帶緩沖電路的升壓電路。右邊的電路則顯示了采用SiC二極管的升壓電路。沒有恢復(fù)電流就無需緩沖電路,使電路變得更加有效。

   圖4顯示了一個(gè)采用Si PiN續(xù)流二極管的逆變器與SiC肖特基續(xù)流二極管之間輻射EMI的差異。

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4 EMI比較

   硅基逆變器典型的平均效率接近96%。利用一個(gè)更加有效的系統(tǒng),太陽能板提供的能量可以更有效地轉(zhuǎn)換為可用電能。采用SiC器件,逆變器的平均效率可能提高到97.5%。這相當(dāng)于減少了25%的逆變器損耗。考慮到太陽能系統(tǒng)至少需要工作30年,即意味著在節(jié)約能源方面有相當(dāng)大的改進(jìn),通過降低溫度,系統(tǒng)也將具備更高的可靠性?,F(xiàn)已上市的太陽能系統(tǒng)通常被劃分為兩類,即并網(wǎng)型(gridtied)和離網(wǎng)型(off-grid)。正如其名稱,“并網(wǎng)型”系統(tǒng)是與電網(wǎng)連接的。根據(jù)負(fù)載需求、時(shí)間等不同,終端用戶的電力要么來自于系統(tǒng)的太陽能板,要么來自于電網(wǎng)。這類系統(tǒng)具備一種計(jì)量能力,來自太陽能系統(tǒng)的電力可以在低需求期間輸送回電網(wǎng)。“離網(wǎng)型”系統(tǒng)采用獨(dú)立的電池系統(tǒng),有時(shí)也有一個(gè)備用的發(fā)電機(jī)。太陽能板通過一個(gè)充電控制器對電池組進(jìn)行充電,電池可以向逆變器提供輸入功率,從而為終端用戶提供電力。
  今天,通常一個(gè)系統(tǒng)的成本大約為每瓦特10美元,所以一個(gè)3kW的系統(tǒng)大約需要3萬美元。顯然,一個(gè)更加有效的系統(tǒng)將意味著消費(fèi)者較快可以得到回報(bào),此外,全球?qū)δ茉吹年P(guān)注正在促進(jìn)可實(shí)現(xiàn)更多優(yōu)勢的替代能源和碳化硅的應(yīng)用。
  太陽能板制造商在繼續(xù)致力于設(shè)計(jì)一種更加有效的產(chǎn)品,其典型的運(yùn)行效率15%-20%。在這個(gè)統(tǒng)計(jì)中,正是升壓式轉(zhuǎn)換器和逆變器對系統(tǒng)的全面能量效率產(chǎn)生了最大的影響,這就是SiC二極管扮演這種重要角色的原因所在。
  對用于光電板的更加有效材料的研究開發(fā)正在進(jìn)行中。利用更有效的光電板,可以使更小面積的光電板提供高得多的額定功率?;谶@點(diǎn),SiC二極管制造商應(yīng)該看到其客戶需求方面的改變,即從目前的10Amp-20Amp額定值走向50Amp、100Amp及更高額定電流的器件。







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